Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (9)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Vainberg V$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 6
Представлено документи з 1 до 6
1.

Gudenko Yu. M. 
Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells [Електронний ресурс] / Yu. M. Gudenko, V. V. Vainberg, V. M. Poroshin, V. M. Tulupenko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 3. - С. 375-379. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_3_22
The drift of charge carriers in the p-Si0,88Ge0,12/Si heterostructures under strong lateral electric fields and conditions of carrier generation by the band-to-band light absorption has been investigated experimentally. The data of the drift length, drift mobility, and lifetime of charge carriers within the temperature range 20 to 77 K under the electric field up to 1500 V/cm are presented.
Попередній перегляд:   Завантажити - 189.013 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Vainberg V. V. 
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells [Електронний ресурс] / V. V. Vainberg, A. S. Pylypchuk, N. V. Baidus, B. N. Zvonkov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2013. - Vol. 16, № 2. - С. 152-161. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_2_12
The temperature dependence of the electron lateral mobility in quantum wells of the GaAs/InGaAs/GaAs heterostructures with delta-like doping has been studied. Two types of sample doping - in the quantum well and in the adjacent barrier at a small distance from the well - were used. In the case of shallow wells, in such structures the experimental results may be well described by known electron scattering mechanisms taking into account the shape of real envelope wave functions and band bending due to non-uniform distribution of the positive and negative space charges along the growth direction of heterostructure layers. In the case of delta-like doping in the well, a good agreement between experiment and calculations is achieved, if one takes into account a contribution to electron transport of the states of the impurity band formed by the delta-impurity beneath the bottom of the lowest quantum subband.
Попередній перегляд:   Завантажити - 930.319 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Vainberg V. V. 
Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers [Електронний ресурс] / V. V. Vainberg, A. S. Pylypchuk, V. N. Poroshin, O. G. Sarbey // Ukrainian journal of physics. - 2014. - Vol. 59, № 7. - С. 721-725. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2014_59_7_11
Приведено та проаналізовано результати дослідження електричного на магнітного транспорту носіїв заряду в гетероструктурах з квантовими ямами і домішковими дельташарами в прилеглих бар'єрах. Додатний магнітоопір і вигляд залежності рухливості носіїв від концентрації домішки в дельта шарах, за низьких температур (Т << 20 К), пов'язуються з транспортом носіїв по двох паралельних каналах з різною рухливістю носіїв: структурним і утвореними дельта-шарами домішки квантовим ямам. Нелінійна залежність струму від величини прикладеного електричного поля пояснюється зумовленим полем перерозподілом носіїв між цими каналами.
Попередній перегляд:   Завантажити - 619.737 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Vainberg V. V. 
Effects of the real-space transfer of charge carriers in the n-AlGaAs/GaAs heterostructures with the delta-layers of impurity in the barriers [Електронний ресурс] / V. V. Vainberg, A. S. Pylypchuk, V. N. Poroshin, O. G. Sarbey // Український фізичний журнал. - 2014. - Т. 59, № 7. - С. 721-725. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2014_59_7_11
Приведено та проаналізовано результати дослідження електричного на магнітного транспорту носіїв заряду в гетероструктурах з квантовими ямами і домішковими дельташарами в прилеглих бар'єрах. Додатний магнітоопір і вигляд залежності рухливості носіїв від концентрації домішки в дельта шарах, за низьких температур (Т << 20 К), пов'язуються з транспортом носіїв по двох паралельних каналах з різною рухливістю носіїв: структурним і утвореними дельта-шарами домішки квантовим ямам. Нелінійна залежність струму від величини прикладеного електричного поля пояснюється зумовленим полем перерозподілом носіїв між цими каналами.
Попередній перегляд:   Завантажити - 332.423 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
5.

Vainberg V. V. 
Low temperature charge transport in arrays of single-walled carbon nanotube bundles with radiation induced defects [Електронний ресурс] / V. V. Vainberg, V. N. Poroshin, O. S. Pylypchuk, N. A. Tripachko, I. I. Yaskovets // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2019. - Vol. 22, № 4. - С. 418-423. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2019_22_4_10
Electric transport properties and magnetoresistance (MR) of the array of metallic single-wall carbon nanotube bundles irradiated by the electron flux with the energy close to 1 MeV or Co<^>60 gamma quanta have been investigated within the temperature range T = 1,8 - 200 K and in the magnetic fields up to 5 T. The power-law behavior of the conduction vs temperature was observed within the range 50 to 200 K, which is typical for conduction of quasi-one-dimensional systems in the model of the electron gas as the Luttinger liquid. The change in power exponent <$E alpha> with the radiation dose and its deviation as compared to <$E alpha> for the non-irradiated samples is related with changing the number of conduction channels in the bundles as a consequence of the radiation defects appearance. At the temperatures below 50 K, the Mott three-dimensional hopping conduction is realized. Using the measured dependence of conduction on the temperature and electric field, the density of electron states in the vicinity of the Fermi level, which participate in the hopping charge transport, and the localization length of charge carriers in these states have been determined. These parameters determining the hopping mechanism of the charge transport are noted to depend on the radiation dose. The magnetoresistance in the Mott-type hopping conduction region was negative in the whole range of magnetic fields, while at the large fields an upturn to the positive change was observed. The mechanisms both of the negative and positive MR components are discussed.Electric transport properties and magnetoresistance (MR) of the array of metallic single-wall carbon nanotube bundles irradiated by the electron flux with the energy close to 1 MeV or Co<^>60 gamma quanta have been investigated within the temperature range T = 1,8 - 200 K and in the magnetic fields up to 5 T. The power-law behavior of the conduction vs temperature was observed within the range 50 to 200 K, which is typical for conduction of quasi-one-dimensional systems in the model of the electron gas as the Luttinger liquid. The change in power exponent <$E alpha> with the radiation dose and its deviation as compared to <$E alpha> for the non-irradiated samples is related with changing the number of conduction channels in the bundles as a consequence of the radiation defects appearance. At the temperatures below 50 K, the Mott three-dimensional hopping conduction is realized. Using the measured dependence of conduction on the temperature and electric field, the density of electron states in the vicinity of the Fermi level, which participate in the hopping charge transport, and the localization length of charge carriers in these states have been determined. These parameters determining the hopping mechanism of the charge transport are noted to depend on the radiation dose. The magnetoresistance in the Mott-type hopping conduction region was negative in the whole range of magnetic fields, while at the large fields an upturn to the positive change was observed. The mechanisms both of the negative and positive MR components are discussed.
Попередній перегляд:   Завантажити - 348.428 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
6.

Filippov Yu. P. 
Long-term stability of TVO low-temperature sensors before and after gamma irradiation with a high dose [Електронний ресурс] / Yu. P. Filippov, V. M. Miklyaev, V. V. Vainberg // Фізика низьких температур. - 2021. - Т. 47, Вип. 4. - С. 335-341. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2021_47_4_8
Досліджено довготривалу стабільність відомих температурних датчиків ТВО до та після гамма-опромінення протягом майже 17 років. П'ять із шести відібраних датчиків, відкаліброваних у діапазоні від 3 до 300 К, було відібрано відповідно до вимоги їх відносної похибки <$E DELTA T "/" T~symbol Г~symbol С~0,25> % у кріогенному температурному діапазоні. Вимірювання їх довготривалої стабільності, проведені через 7,5 років після калібрування, показують добру згоду з таким критерієм точності за температур 293, 77,3 і 4,2 К. Потім ці 5 датчиків разом із шостим, взятим як "найгірший" для порівняння, опромінювалися гамма-джерелом <^>60Co за кімнатної температури до сумарної дози близько 1 МГр. Після опромінення для всіх датчиків виявлено помітні відносні зсуви по температурі (більш ніж +- 0,25 %), які пояснюються на базі моделі структурних змін в об'ємі чутливого елемента. Післярадіаційні вимірювання, проведені протягом 9 років за температур 293, 77,3 і 4,2 К, свідчать про добру стабільність датчиків після опромінення.
Попередній перегляд:   Завантажити - 645.24 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського